作者:杨乐,张亚 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2019年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2019020190 DOC编号:DOCCGQJ2019020199 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 通过测试电容值的变化来分析电容式微超声波换能器(CMUT)的发射性能。介绍了CMUT的工艺过程,关键工艺为硅硅键合。利用硅硅键合工艺制作的CMUT误差小、工艺流程简单且能进行量产。利用E4990A阻抗分析仪测试CMUT电容值得到CMUT初始电容值为680 p F,阵列内电容值一致性良好,误差为0. 62 p F,并对所设计的CMUT进行带宽测试,得出其在-6 d B时归一化带宽为200%,远远优于现有的传感器。

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