作者：余应森,黄彩清 单位：南昌航空大学;北京航空材料研究院 出版：《失效分析与预防》2019年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSXFX2019020120 DOC编号：DOCSXFX2019020129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件，涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作，而对于特定使用性能的芯片，分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段，介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法，通过电性能测试及电路板的测试分析，缩小失效发生的功能区域，用I-U曲线测试确定失效的重现方法，最后使用光诱导电阻变化技术(OBIRCH)进行失效的定位，结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束(Plasma FIB)微切，用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌，确定失效原因为金属层连接通孔烧融，通孔熔断与造成芯片失效的机理一致，从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息。

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