作者：王露,李长胜 单位：天津理工大学 出版：《光电子·激光》2019年第08期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDZJ2019080040 DOC编号：DOCGDZJ2019080049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出并实验验证了基于偏硼酸钡(β-BaB_2O_4，BBO)晶体的电光补偿型磁场传感器。磁场传感单元主要由单块BBO晶体和两个偏振器组成。采用光强度调制的传感方式，被测磁场和法拉第磁光效应引起的BBO晶体输出光强度变化可以由外加电压产生的电光强度调制来补偿。在电光补偿后的输出光传感信号不变的条件下，可以通过测量外加补偿电压间接实现磁场的测量。利用一块尺寸为4 mm&#215；4 mm&#215；20 mm的BBO晶体实验测量了167 Gs范围内的工频磁场，通过设置晶体主光轴与光传播方向的夹角为0.76&#176；，可以有效降低电光补偿电压，约为0.018 3 V&#183；Gs~(-1)，比以往的实验结果降低了约30倍。

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