作者：廖乃镘,刘绪化,刘昌林,张明丹,李仁豪,李金,何达 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2019年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2019010030 DOC编号：DOCBDTG2019010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测，其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题，研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1～B4区)，有效像元数为3 072元，像元尺寸为28μm&#215；28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力，通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响，采用了紧凑的抗弥散结构，仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-，抗弥散能力为100倍，读出噪声小于等于70e-，动态范围大于等于7143∶1。

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