作者：黄伦,卢鹏博,张欣宜 单位：中国设备管理协会 出版：《中国设备工程》2019年第21期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSBGL2019211070 DOC编号：DOCSBGL2019211079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 传统CVT技术成熟，但由于其构造的复杂性，导致体积大、重量大，倘若直接应用在配网一二次融合中，其无法与开关进行深度融合，本文改进了薄膜电容器的设计方案，使其进一步优化并缩小了其体积；提升铁芯饱和点，进一步抑制铁磁谐振的发生。在此基础上提出了一种新型小型化、高可靠性的电容式电压传感器制造方案，实现与10kV断路器的深度融合，在配网一二次融合中具有广大发展空间。

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