《正交氧化钼传感器的制备和硫化氢气敏性能研究》PDF+DOC
作者:伍小冬,顾雯雯,彭姝迪,张先树,周渠
单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会
出版:《电子元件与材料》2019年第08期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZAL2019080110
DOC编号:DOCDZAL2019080119
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利用水热法制备了α-MoO_3纳米棒传感器材料,进而制备了α-MoO_3纳米棒粉末的平面型气体传感器,并基于CGS-1TP智能气体检测分析系统研究了其对H_2S气体的气敏特性。结果表明:制备的α-MoO_3材料结构呈现棒状形态,平均长度和宽度分别约为300 nm和100 nm。制备的α-MoO_3纳米棒传感器对体积分数为20×;10~(-6)的H_2S进行气体响应测试的最佳操作温度为180℃,对应的气体响应值为14.92,响应和恢复时间分别为7 s和11 s,同时对体积分数为10×;10~(-6)~100×;10~(-6)的H2S表现出较高的线性度和优异的稳定性。
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