作者：王生凯,靳川,乔凯,焦岗成,程宏昌,刘晖,苗壮 单位：昆明物理研究所;中国兵工学会夜视技术专业委员会 出版：《红外技术》2019年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWJS2019060150 DOC编号：DOCHWJS2019060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导，对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃～325℃的变温热处理实验，着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixedpatternnoise，FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration， SNR)随热处理温度的变化规律。实验结果表明：随着热处理温度的升高，样品器件的光响应输出信号值基本保持不变，当温度升高至325℃时，样品器件的固定模式噪声由32 e?升高至246 e?，随机噪声由51 e?升高至70 e?，信噪比由17.76 dB降低至4.81 dB，其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大，热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低。

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