作者:宋登明,陈祝 单位:成都信息工程大学 出版:《成都信息工程大学学报》2019年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCDQX2019010040 DOC编号:DOCCDQX2019010049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为解决现有CMOS温度传感器Sigma-Delta-ADC方案占用芯片面积较大、响应速度较慢等问题,设计了一种高性能CMOS温度传感器。利用13 bit计数器对压—频转换(V/F)电路的频率进行计数,摒弃传统方案的Sigma-Delta ADC,意味着原本占芯片面积非常大的电容门阵列不复存在。CMOS温度传感器的设计基于CSMC 0.6μm BCD工艺,利用Cadence IC5完成仿真与优化。在3.3 V供电电源下、温度工作范围-40℃~125℃,得到静态工作电流小于200μA,温度分辨率0.08℃,测温精度±0.3℃以及非常高的温度转化频率。

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