《基于有机半导体TIPS-Pentacene晶态薄膜的超灵敏NO_2气体传感器》PDF+DOC

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2. 《基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器》PDF+DOC 采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法，构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO_2气体传感器。结果发现，在室温条件下，器件的检测极限为1&#215；10~(–6)(NO_2体积分数)，其灵敏度高达2 172%，该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外，该器件在室温......
3. 《有机薄膜晶体管及其在传感器方面的应用》PDF+DOC 有机薄膜晶体管因其有机材料种类的多样性、简单的制备工艺和柔性兼容性等优点，在有机半导体器件的研究领域中广受关注。介绍了有机薄膜晶体管的研究进展，并进一步分析了有机薄膜晶体管的基本结构、工作原理及电学特性。同时介绍了有机薄膜晶体管作为传感器的发展进程，重点从有机薄膜晶体管作为传感器的敏感性、选择性等方......
4. 《钒掺杂W_(18)O_(49)纳米线的室温p型电导与NO_2敏感性能》PDF+DOC 钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力，且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性能.本文以WCl6为钨源，NH4VO3为掺杂剂，采用溶剂热法合成了钒掺杂的W18O49纳米线.利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构，并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂......
5. 《TeO_2纳米线的制备及其室温NO_2气敏特性》PDF+DOC 以金属Te颗粒为原料，采用热蒸发法于镀金硅基板表面制备出TeO2纳米线，并以其为气敏材料制备成气敏元件.采用XRD，SEM和TEM表征TeO2纳米线的相组成和微观结构，结果表明，TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构，长度约为几十微米，直径约为80~600 nm.在TeO2纳米线的顶端未发现Au颗粒......
6. 《一种LED辐照激励下的室温NO_2气体传感器研究》PDF+DOC 采用快速热处理的方法，提高了室温下WO3薄膜气体传感器对NO2的敏感特性。首先采用直流对靶磁控溅射的方法在Al2O3陶瓷基底上沉积纳米WO3薄膜，然后在N2∶O2=4∶1的混合气氛中，分别在500，600℃和700℃的热处理温度下对纳米WO3薄膜进行快速热处理。所得样品表面形貌用扫描电子显微镜(SE......
7. 《高选择性的In_2O_3基热线型氢气传感器》PDF+DOC 采用反相微乳液法合成出纳米氧化铟(In_2O_3)，利用其制备出了热线型气体传感器。利用二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)的化学气相沉积，在敏感元件表面形成了一层致密的二氧化硅(SiO_2)分子筛层，限制了除氢气(H_2)以外其它分子直径较大的还原性气体向气敏材料内层的扩散，提高了该传感器对H_2的选择......
8. 《超灵敏甲醛比色传感器的设计与应用》PDF+DOC 在金纳米棒(AuNRs)-Ag~+-甲醛(HCHO)体系中，HCHO快速将Ag~+还原为Ag，Ag包裹在AuNRs表面形成Au@AgNRs，改变了AuNRs周围的电介质环境，导致纵向最大吸收波长(LPAB)红移，同时伴随着溶液的颜色发生显著的变化。据此，发展了一种测定HCHO的快响应、简便、灵敏、选......
9. 《一种高灵敏度氧化石墨烯气敏传感器的构造方法及性能研究》PDF+DOC 采用紫外光与臭氧(UVO)法原位制备氧化石墨烯薄膜，以氧化石墨烯薄膜结合二端电子器件构造高性能气敏传感器。测试了氧化石墨烯气敏传感器对NH3的灵敏度、时间响应、选择性、保持率等特性，测试结果表明：由UVO法获得的氧化石墨烯气敏传感器的时间响应速度快、恢复性能好、稳定性强；UVO法的处理时间等工艺参数......
10. 《H_2S气体传感器的制备及性能研究》PDF+DOC 室温固相化学反应合成了ZnS，于马弗炉内600℃条件下烧结得到ZnO.用XRD和TG-DTA对产物进行了分析，用静态配气法测定了材料的气敏性.结果表明，在空气中598℃时ZnS被氧化成ZnO；ZnO气敏元件对H2S有较高的灵敏度。...