作者：齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷,吴佐飞 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2019年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2019020440 DOC编号：DOCCGQJ2019020449 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点，提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法，实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明：SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷，漏率低于5&#215；10~(-9)Pa&#183；m~3/s，键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装，在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。

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