《六方氮化硼修饰分子印迹电化学传感器检测氯氰菊酯》PDF+DOC
作者:董泽刚,兰天宇,马丽娇,杜海军,杨洋
单位:中国分析测试协会;国药集团化学试剂有限公司;北京国化精试咨询有限公司
出版:《化学试剂》2019年第10期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXSJ2019100050
DOC编号:DOCHXSJ2019100059
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以六方氮化硼(h-BN)修饰玻碳电极(GCE-BN)为基底,苯酚为功能单体,通过电聚合法成功制备了可用于水样中氯氰菊酯(CYP)快速检测的分子印迹聚合膜传感器。借助拉曼光谱仪和扫描探针显微镜表征聚合膜的物相组成和表面结构,采用恒电位诱导法洗脱模板分子,差分脉冲伏安法(DPV)评价传感器的灵敏度。结果表明:传感器响应电流变化值(Δi)与氯氰菊酯的浓度在2. 0×;10~(-8)~3. 0×;10~(-7)mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限低至8. 5×;10~(-9)mol/L,水样加标平均回收率在96. 3%~100. 2%之间。传感器制备简单,检测成本低廉,兼具良好的稳定性、选择性,具有良好的应用前景。
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