作者：杨莹 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2019年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2019030090 DOC编号：DOCJCDI2019030099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 传感器技术作为现代信息社会的三大支柱技术，被广泛地应用于国民经济的各个领域，霍尔式磁效应传感器是其中应用非常广泛的一类。与一般模拟集成电路的版图设计相比，霍尔式磁效应传感器芯片的版图需要有一些特殊考虑。本论文讨论了霍尔元件的电磁特性以及环境温度、外界应力和半导体一致性等因素对霍尔元件电磁特性的影响，并重点从芯片版图设计方面介绍了如何通过优化集成电路的版图来提高霍尔元件的性能，扩展芯片的工作温度范围，并提高芯片的可靠性。

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