作者：张安安,李晖 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2019年第10期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2019100040 DOC编号：DOCCGQJ2019100049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对互补金属氧化物半导体(CMOS)霍尔传感器的灵敏度和采集带宽问题，对CMOS霍尔传感器的时间限制进行了仿真分析。对现代物理模拟器对CMOS霍尔传感器的瞬态特性进行分析，采用CMOS技术实现了方形霍尔传感器的三维模型，通过电流输运模型对硅器件的磁场效应进行了数值模拟。为了分析响应时间，对整个电路进行了混合模SPICE物理模拟，即三维器件加偏压方案。仿真结果表明：模型化设备的响应时间很快，采集带宽在兆赫范围内。沉降时间主要取决于传感器的物理结构，更高浓度的N孔可以实现更快的霍尔器件，但这将降低传感器的灵敏度。

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