作者:陈贵宝,郭仲杰,李婷,魏海龙 单位:航天科技集团公司九院七七一所 出版:《微电子学与计算机》2019年第08期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFWXYJ2019080080 DOC编号:DOCWXYJ2019080089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 基于标准CMOS工艺,提出了一种高精度低功耗的温度传感器.通过采用高精度比例电流生成模块、纵向寄生的NPN型双极晶体管以及改进的输出端结构等措施,抑制了电路噪声、提高了温度到电压的转换精度.基于55 nm CMOS工艺,采用Spectre工具对电路进行仿真,结果表明:该温度传感器在-55℃~85℃内灵敏度为3.84 mV/℃,仿真精度为0.17℃,电路功耗为130μA.经过后端物理实现后,版图面积为325μm×64μm.采用STAR_RCXT对该电路提参后仿,得到后仿真精度为0.14℃/-0.24℃。

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