作者:王阳,刘强,钟贻兵,丁俊鹏,赵旭 单位:中国电子学会 出版:《电子技术与软件工程》2019年第14期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZRU2019140570 DOC编号:DOCDZRU2019140579 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文分析了几种外磁场自抑制技术,设计了一种外磁场自抑制霍尔电流传感器。研制的传感器在80Gs磁场下,零点输出变化在0.6%FS以内,传感器抗磁场干扰能力大大提高。

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