作者:周仕强,卢清杰,陈明鹏,张瑾,柳清菊 单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版:《功能材料与器件学报》2019年第02期 页数:12页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCQ2019020010 DOC编号:DOCGNCQ2019020019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 近年来,随着生活水平提高,健康生活和安全保护备受社会关注,对有毒易燃易爆气体的检测愈来愈重视,尤其表现在排放检测、消防安全、石油化工和航天航空方面等。金属氧化物半导体气敏传感器由于具有高灵敏度、低成本、稳定性好等优点而被广泛应用于气敏传感领域。三氧化二铟(In_2O_3)作为一种典型n型宽禁带半导体,因具有透明导电、电阻率低、气敏性能较好等特点成为一种良好的气敏材料。本文综述了近几年来微纳结构In_2O_3气敏传感器的研究进展,分别对In_2O_3气敏材料的结构、气敏机理、不同形貌、金属和金属氧化物改性以及碳材料复合等方面进行介绍,分析了In_2O_3气敏传感器存在问题,并进一步指出In_2O_3气敏传感器在未来的研究方向。

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