《重铬酸钾分子印迹电化学传感器制备及其应用》PDF+DOC
作者:胡文英,赵晓旭,蔡庚煌
单位:中国化学会中国科学院化学研究所
出版:《高分子通报》2019年第07期
页数:10页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGFZT2019070070
DOC编号:DOCGFZT2019070079
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通过沉淀聚合,以重铬酸钾为模板分子,在壳聚糖修饰的金电极表面制备重铬酸钾分子印迹膜。采用电化学循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)、荧光显微镜、扫描电镜研究了重铬酸钾分子印迹膜的性能和分子印迹效应,探讨了重铬酸钾的最优投加浓度,优化了洗脱时间,扫描底液的选择对传感器性能的影响,发现其对重铬酸钾的检测有较好的选择性。实验表明,在最佳实验条件下,此传感器对重铬酸钾浓度在0~31×;10~(-3)mg/L范围内有优良的线性关系,回归曲线为y=25.02x-0.0073,R~2=0.9991,检出限达2.47×;10~(-6)mg/L。该分子印迹电化学传感器还具有良好的稳定性和较好的选择性,同时,将其对茶叶中的重铬酸钾含量进行检测,可用于实际环境中样品的检测。
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