作者：袁本铸,许煜,贾琛 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2019年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2019100100 DOC编号：DOCBDTQ2019100109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器，并针对其交叉灵敏度性能进行了研究，分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系，并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度，对检测方向的输出干扰非常小。进行了工艺加工和实验测试，实验结果表明，该面内振动的压阻式加速度传感器在20℃下，工作方向上的灵敏度为0.67 mV/g，而另外两个非工作方向(x轴和z轴)上的交叉灵敏度分别为7.3&#215；10-4%和6.6&#215；10-4%，对工作方向的加速度检测影响非常小，此结构的设计方法对于高性能的加速度传感器的研究具有重要的参考意义。

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