《高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制》PDF+DOC
作者:黄敬晖,郝洁,张延松,唐家耘,钱坤明,丁昂
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2016年第08期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2016080250
DOC编号:DOCCGQJ2016080259
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《巨磁阻抗磁传感器的研究进展》PDF+DOC2008年第05期 蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功
《基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状》PDF+DOC2011年第04期 郝建华,郑全普,胡然,丁丹
《GMI磁传感器内部灵敏度与噪声特性研究》PDF+DOC2011年第02期 蒋颜玮,房建成,王三胜
《基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC2009年第08期 钱丙军,王长松,周晓敏
《不同长度敏感元件的两种巨磁阻抗传感器传感性能研究》PDF+DOC2008年第07期 李欣,张清,阮建中,王清江,杨燮龙,赵振杰
《非晶纳米晶带材巨磁阻抗磁传感器特性分析》PDF+DOC2008年第09期 柴秀丽,曾德长,刘桂雄,余红雅,钟喜春,刘文洁
《基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器》PDF+DOC2007年第03期 陈世元,张亮,李德仁,卢志超,滕功清
《新型巨磁阻抗传感器的特性研究》PDF+DOC2007年第03期 张清,李欣,王清江,李小平,赵振杰
《基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC2006年第10期 郭成锐,江建军,邸永江
《频率调制型巨磁阻抗弱磁传感器设计》PDF+DOC2013年第12期 杨波,卜雄洙,赵文
利用单辊快淬法制备了Co Fe Ni Si B非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能。以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±;0.05 m T弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/m T,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力。
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