作者：郭函,马文英,马长伟,唐雨竹 单位：成都信息工程大学 出版：《成都信息工程大学学报》2020年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCDQX2020020020 DOC编号：DOCCDQX2020020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一种基于吸波结构的THz谐振器。该结构单元由三开口金属谐振环、有损绝缘基板及连续金属膜组成，分别对FR4材料基板以及PI基板的THz谐振器进行仿真，分析了两种介质损耗不同的中间层基板对THz谐振器的吸收率及品质因数的影响。结果表明，选用较低介质损耗的PI材料作为中间层基板的THz谐振器，其欧姆损耗吸波效应更明显，吸波峰较选用较高介质损耗的材料作为中间层基板的THz谐振器有所频移，吸收率有所衰减，而Q值、灵敏度、FOM值更高。通过优化，在0.982 THz附近得到一个3 dB带宽约为6.88 GHz的吸波谱，相应的Q值为142.73，其吸收率为0.936。最后对THz谐振器的传感特性进行了测量，其折射率灵敏度为48.21 GHz/RIU，FOM值为7.01/RIU，具有较高的传感特性。

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