作者：陶化文,黄玲琴,朱靖 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2020年第10期 页数：12页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2020100010 DOC编号：DOCBDTJ2020100019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 二维层状MoS_2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能，是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS_2薄膜性质有所差异，其构成的异质结性能也各具特色。首先，介绍了常用于制备层状MoS_2薄膜的化学气相沉积(CVD)法和高温热分解法；然后，综述了在Si、塑料、GaN、GaAs、Si纳米线、蓝宝石、SiO_2/Si和SiC等不同衬底上制备层状MoS_2薄膜的方法，利用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱等测试方法对各衬底上制备的MoS_2薄膜结构和性能进行了表征；同时讨论了相应的异质结器件的特性及应用，并对高质量MoS_2薄膜在光电探测器、气体传感器、压电器件等光电子和纳电子器件中的应用进行了展望。

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