作者：桂丹,郑丹,何琼 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2020年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2020090050 DOC编号：DOCYBJS2020090059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器，在较低浓度Mg掺杂时，器件机电耦合系数有微弱增大；当掺杂浓度过高时，机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时，器件在20～100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃，比之前纯ZnO基薄膜体声波谐振器的温度频率系数值-69.5 ppm/℃下降了很多。

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