作者：曾濯渠 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2020年第Z3期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2020Z30100 DOC编号：DOCJCDI2020Z30109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文提出了一种高带宽穿隧磁阻(Tunnel Magnetoresistance， TMR)型传感器的读出电路，电路采用chopper-stabilized amplifier技术和纹波抑制环路技术(Ripple Reduction Loop， RRL)结构实现高信号感应带宽，同时抑制输出纹波。本设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺，电源电压为3.3V，双通道输出，并提供&#177；1.5mA的输出驱动器。仿真结果表明，整个读出电路共消耗电流为3.9mA，感应带宽3MHz，输入等效噪声谱密度均方根18.3nVHz~(1/2)@20KHz。

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