作者：马鑫,张琪,郭鹏,同笑珊,赵玉龙,汪爱英 单位：中国兵器工业第五九研究所;中国兵工学会防腐包装分会;中国兵器工业防腐包装情报网 出版：《表面技术》2020年第06期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBMJS2020060090 DOC编号：DOCBMJS2020060099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 目的研究非晶碳膜的压阻性能和机理，并将其作为压敏电阻应用于MEMS压力传感器敏感电路中。方法使用直流溅射工艺制备非晶碳膜压敏薄膜材料，对典型样品进行内部组分和电学、力学、温度等性能测试和研究，使用有限元方法进行器件设计仿真，借助MEMS加工工艺完成非晶碳膜压力传感器芯片的加工，最后进行器件级别的测试和分析。结果在0～1 MPa范围内，压力传感器芯片的灵敏度为9.4μV/kPa，输出信号的非线性度为5.57%FS；对压敏电阻进行–70～150℃范围内的温度性能研究，其阻值与温度之间表现出较强的线性关系，且在–20～150℃段，线性度更强，表明非晶碳膜压敏材料在高温段应用时更容易补偿。机理研究方面，非晶碳膜在厚度方向上表现出组分差异化，因此该方向也应被纳入机理模型建立中。结论非晶碳膜在加工工艺、力学性能以及电学性能上与传统的MEMS传感器芯片能够很好地结合，加工得到的非晶碳膜压阻式压力传感器灵敏度和线性度较为理想。此外，其压阻机理研究应纳入薄膜厚度方向。

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