作者：石文杰 单位：上海市电子学会;上海市通信学会 出版：《》 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJS2019010130 DOC编号：DOCDZJS2019010139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了降低CMOS图像传感器中的列随机电报噪声，提升CIS在暗场环境下的成像质量。使用了一种只需要基于图像传感器数字平台输出的简便计算方法，在应用0.13μm 1P4M CIS工艺技术制造的CMOS图像传感器上做了大量实验，研究影响列随机电报噪声的因素。实验考虑了晶体管沟道尺寸、晶体管拓扑结构及工艺水平。实验结果表明，较大的栅极沟道面积、优化晶体管拓扑结构及合适的工艺(0.11μm)可以有效降低列随机电报噪声，这为列晶体管的参数设计提供了指导。

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