作者：侯晓伟,刘莉娜,吕阳,郑良广,张丛春 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2020年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2020060070 DOC编号：DOCCGJS2020060079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用MEMS工艺在硅衬底上制备了铂电阻薄膜温度传感器，在500℃、600℃、700℃和800℃四个温度点下对铂电阻样品进行了热处理，对样品在退火前后的电阻值进行了测试和对比分析。对800℃的退火样品的阻温特性进行了多次测量，其在零摄氏度的电阻温度系数可达3 150&#215；10~(-6)/K。另外还对退火后的铂电阻样品阻温特性进行了多次升温降温测试，其升温曲线和降温曲线基本重合，表明退火处理可以明显的改善铂薄膜温度传感器的稳定性和重复性。

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