《AlGaN/GaN HEMT氢气传感器室温下响应特性的研究》PDF+DOC
作者:陈金龙,阎大伟,王雪敏,曹林洪,吴卫东
单位:广州化工研究设计院;广州市化工行业学会
出版:《广州化工》2020年第14期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGZHA2020140220
DOC编号:DOCGZHA2020140229
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制作了基于AlGaN/GaN HEMT结构的微型氢气传感器。本文研究了室温条件下栅压与传感器氢气响应特性的关系。研究结果表明随着外加栅压(-2.5 V至0.5 V)的增大,传感器对氢气响应的灵敏度减小,最大灵敏度在阈值电压V_G=-2.5 V处,传感器对25 ppm氢气响应的灵敏度为87.1%,响应时间为15 s。当V_G=-2.5 V,V_(DS)=6 V时,传感器对氢气响应的灵敏度随浓度的升高而增大,且呈对数关系。研究表明Pt/AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器可应用于室温氢气检测,具有极高的应用潜力。
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