作者：窦英男,徐旻,刘轩 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2020年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2020030220 DOC编号：DOCMINI2020030229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对背照式CMOS图像传感器制作工艺，提出了一种采用氢氧化四甲基铵液进行湿法刻蚀的背部硅片减薄工艺。分析了硅减薄工艺的整体流程，针对化学机械研磨后的湿法刻蚀工艺进行了实验。通过调整反应时间、硅片转速、喷嘴速度和摆幅，得到最优刻蚀参数，使厚度均值达到目标值，平整度控制在一定范围内。该湿法刻蚀工艺中，首先对硅片表面形貌进行修正，接着对硅片进行整体刻蚀，达到目标厚度，最后通过减薄得到BSI背部硅片。采用该硅片制作的图像传感器的成像质量得到提高。

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