作者：乔凯,王生凯,程宏昌,靳川,张太民,杨晓军,任彬 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2020年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2020040330 DOC编号：DOCHWYJ2020040339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于硅表面的薄膜钝化原理，开展了不同厚度的表面钝化膜对背减薄CMOS(Back-thinned CMOS，BCMOS)传感器电子敏感特性影响的实验研究。首先，对CMOS传感器进行背减薄处理后，对背减薄CMOS进行电子轰击测试，由测试结果可知，电子图像灰度随入射电子能量的变化呈现出线性关系。然后，采用电子束蒸镀法在BCMOS传感器表面镀制了不同厚度的氧化铝薄膜，并进行了电子轰击测试。研究发现，当表面氧化铝薄膜厚度为20 nm时，可以将BCMOS传感器的二次电子收集效率提高14.9%，通过表面薄膜钝化实现了电子敏感性的提升，同时，随着薄膜厚度的增加，BCMOS暗电流由1510 e-/s/pix减小至678 e-/s/pix。上述结果说明，氧化铝薄膜对BCMOS背减薄表面具有良好的钝化作用，可以提高BCMOS传感器的二次电子收集效率、降低暗电流，为将来高灵敏度EBCMOS器件的研制提供了技术支撑。

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