作者：吕玉冰,吴琼瑶,刘昌举,李明,周亚军,刘戈扬 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2020年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2020030070 DOC编号：DOCBDTG2020030079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化，甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究，从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略，并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明，采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力，当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1&#215；10~7 p/cm~2时，器件的关键指标变化符合预期要求。

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