作者：漆园园,赵晓锋,于志鹏,邓祁,温殿忠 单位：黑龙江大学 出版：《黑龙江大学自然科学学报》2020年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHLDZ2020040160 DOC编号：DOCHLDZ2020040169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器，利用剥离工艺将其制作在SiO_2/Si衬底上，该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥，每个巨磁电阻由4部分组成，由下到上分别为衬底(SiO_2/Si)、底电极(Al层)、(Co/Cu/Co)_n多层膜和顶电极(Al层)。基于巨磁电阻效应，当外加磁场时，电阻条的阻值发生改变，惠斯通电桥输出电压随外加磁场发生改变。在室温条件下，当V_(DD)=5.0 V时，采用磁场发生器系统对传感器磁敏特性进行了测试和分析，在-0.1～0.1 mT的磁场范围内，制备的(Co 3nm/Cu 1nm)_(20)多层膜巨磁电阻磁场传感器的磁灵敏度为0.35 mV&#183；mT~(-1)，分辨率为0.01 mT。

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