作者：闫飞,尹明富,孙会来,赵镇宏 单位：大连组合机床研究所:中国机械工程学会生产工程分会 出版：《组合机床与自动化加工技术》2020年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZHJC2020020020 DOC编号：DOCZHJC2020020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 线性差动变压器式位移传感器(LVDT)广泛应用各种直线测量系统中，针对其存在的线性度差、灵敏度不高的问题，首次基于磁屏蔽原理提出一种三层端盖的新结构，其中外侧端盖是磁屏蔽端盖。利用有限元的方法在ANSYS Maxwell建立LVDT仿真模型，在Maxwell Circuit Editor设计外部激励电路，进行联合仿真，通过静态和瞬态磁场的仿真研究。结果分析表明该新结构能将最大线性度从1.45%降低到0.13%，灵敏度提升20mv/mm。证明该结构能有效减少远离初级线圈两端的漏磁通，可以有效改善LVDT的线性度，同时灵敏度也有相应的提升。

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