《石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析》PDF+DOC
作者:朱丹丹,张燕楠,王建霞,孙健
单位:河南省科学技术信息研究院
出版:《河南科技》2019年第36期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHNKJ2019360290
DOC编号:DOCHNKJ2019360299
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石墨烯基场效应晶体管(GFET)技术是实现基于石墨烯的高频器件、存储器、传感器以及集成电路的基本器件结构,其在半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。本文从专利申请的角度对GFET的发展进行了统计分析,介绍了GFET技术的国内外专利申请情况、主要技术分布和重要申请人分布,并对GFET的研究现状进行了梳理。
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