作者：朱进宇,闫峥,苑乔,张少真 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2020年第02期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2020020130 DOC编号：DOCMINI2020020139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《有机场效应晶体管传感器研究进展》PDF+DOC2016年第10期 臧亚萍,狄重安,朱道本 《客座主编寄语》PDF+DOC2019年第03期 陈弘达 《微机电系统的研究内容与发展现状》PDF+DOC2001年第06期 李国平,陈子辰 《CMOS图像传感器》PDF+DOC 范良藻 《传感器技术讲座》PDF+DOC1985年第04期 林友德,杜根源,朱超英 《扩散型硅压阻器件》PDF+DOC 陈宗圭 《视频信号的产生》PDF+DOC1982年第02期 M.F.Tompsett,童镇溥 《固体摄像器件及其在冶金工业中的应用》PDF+DOC1984年第05期 汤逢余,赵宇飞 《MEMS将给元器件带来质的改变》PDF+DOC2009年第05期 姚钢 《基于演化硬件技术的自适应传感器》PDF+DOC2007年第12期 周永彬,孙雅,王跃科

    • 目前，最先进的CMOS工艺逐渐逼近单原子尺度，单纯靠工艺进步来推动发展的时代即将结束，集成电路发展将进入“后摩尔时代”。在“后摩尔时代”，集成电路的发展不会随着“摩尔定律”失效而终结，相反，以应用为导向的需求将使集成电路呈现出更加旺盛的发展活力。在边缘计算、人工智能、5G/物联网等应用需求快速兴起的背景下，从集成电路涉及的材料、器件、工艺、设计、封装、新理论及方法学等方面，详细介绍了“后摩尔时代”集成电路最新进展，分析其发展趋势。最后，简要介绍了未来可能对集成电路当前技术路线产生颠覆性影响的二维器件、量子计算等前沿领域的进展，并进行了展望。

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