作者：严超,杨方源,杨占金,匡代洪 单位：中国分析测试协会;国药集团化学试剂有限公司;北京国化精试咨询有限公司 出版：《化学试剂》2020年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXSJ2020020060 DOC编号：DOCHXSJ2020020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • In_2O_3半导体纳米材料由于具有较高的响应灵敏度、较快的响应-恢复时间，是气敏领域的明星材料，得到了广大研究者的青睐。然而，In_2O_3气敏材料由于化学组份单一往往催化能力有限，气敏性能不太理想(灵敏度较低、相应的恢复时间较长、功耗较高)，严重限制了其在日常生产生活中的应用。实验证明：对单一的气敏材料修饰改性可以有效提升材料的气敏性能。国内外广大研究者相继对In_2O_3进行了大量的研究工作并取得了显著的成果。综述了In_2O_3气体传感器最新的研究进展，对近几年In_2O_3半导体纳米材料发展存在的问题及改性方法进行概括，并对以后的发展进行了展望。

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