作者：王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 单位：中国电子学会 出版：《电子技术与软件工程》2020年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZRU2020020300 DOC编号：DOCDZRU2020020309 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的硅压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。从可动膜片结构设计、关键尺寸计算以及有限元分析等方面考虑，对压力芯片可动膜片进行了结构优化；从压敏电阻条的注入位置、几何形状、器件噪声分析和计算等方面设计，最终确定可动膜片的边长为1000μm，膜厚为40μm，压敏电阻条的长度为160μm，宽度为5μm，R1和R3设计成“一”字形，R2和R4设计成“M”形。

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