《邻联甲苯胺零流电位传感器的制备及其应用》PDF+DOC
作者:马明明,刘佳,苏新科
单位:西安工程大学;全国纺织教育学会
出版:《纺织高校基础科学学报》2019年第04期
页数:10页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFFGJK2019040170
DOC编号:DOCFGJK2019040179
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采用连续扫描循环伏安法在石墨烯修饰的铅笔芯电极(PEC)表面,制备出邻联甲苯胺分子印迹聚合物(O-TD-MIP)。在零流电位系统下,O-TD-MIP重新印迹吸附模板分子邻联甲苯胺(O-TD)时,O-TD浓度在1.0×;10~(-9)~1.0×;10~(-6)mol·;L~(-1)范围内,印迹电极的零流电位E_(ZCP)与其浓度对数log[O-TD]呈现良好的线性关系,且检测限达到8.07×;10~(-10)mol·;L~(-1)。与邻联甲苯胺结构相近的有机物如对氯苯胺、邻甲苯胺、联苯胺、4-氨基偶氮苯和4-氨基联苯等不干扰测定。5根印迹电极对同一浓度O-TD测试,其零流电位的相对标准偏差为0.34%,显示印迹电极具有良好的重现性;一根电极每隔2 d、连续10次测试结果显示,零流电位的相对标准偏差为0.44%,因此印迹电极非常稳定。由此制备出O-TD的零流电位法传感器。该传感器用于实际样品中O-TD检测,平均回收率为96.53%~103.10%,结果满意。
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