作者：刘旭阳,张贺秋,李冰冰,刘俊,薛东阳,王恒山,梁红伟,夏晓川 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2020040250 DOC编号：DOCWLXB2020040259 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器》PDF+DOC2008年第01期 王新华,王晓亮,冯春,冉军学,肖红领,杨翠柏,王保柱,王军喜 《SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性》PDF+DOC2017年第02期 张林,杨小艳,高攀,张赞,胡笑钏,高恬溪 《半导体技术》PDF+DOC2008年第06期 《AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究》PDF+DOC2008年第07期 冯春,王晓亮,王新华,肖红领,王翠梅,胡国新,冉军学,王军喜 《AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究》PDF+DOC2008年第S1期 冯春,王晓亮,杨翠柏,肖红领,王翠梅,侯奇峰,马泽宇,王军喜,李晋闽,王占国,侯洵 《生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究》PDF+DOC 李加东,程珺洁,苗斌,魏晓玮,张志强,黎海文,吴东岷 《输油泵站原油加热炉温度控制系统设计》PDF+DOC2019年第01期 刘兴华,苏盈盈,黄利军 《一种高灵敏度的磁敏结型场效应管》PDF+DOC1988年第04期 于克南,舒纯刚,何野,魏同立 《扩散硅压力传感器》PDF+DOC1983年第01期 彭斯福 《基于STC51单片机的多点控制恒温加热系统》PDF+DOC2014年第12期 扬子,喻孜,布佳鑫

    • 本文制作了基于无栅Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管结构的温度传感器，并对其温度相关的电学特性进行了表征.实验测试了器件从50℃到400℃的变温电流-电压特性，研究了器件灵敏度随着器件沟道长宽比的变化，并研究了在300—500℃高温的空气和氮气中经过1 h恒温加热后器件的电学特性变化.理论与实验研究结果表明，随着器件沟道长宽比的增大，器件的灵敏度会随之上升；在固定电流0.01 A下，器件电压随温度变化的平均灵敏度为44.5 m V/℃.同时，稳定性实验显示器件具有较好的高温保持稳定性。

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