《高端霍尔传感器关键技术的研究》PDF+DOC
作者:李萍,罗云
单位:天津市科技信息研究所
出版:《天津科技》2020年第01期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFTJKJ2020010080
DOC编号:DOCTJKJ2020010089
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研究开发高端霍尔传感器,对我国航天航空事业发展有着重要意义。从霍尔传感器基本原理出发,针对航天航空领域存在辐射粒子、电磁波、气温相差大等问题,通过开展抗辐射、抗干扰和耐温3项关键技术研究,提出了采用CMOS混合电路设计、气密性封装结构、磁平衡原理设计、高低温分选及双路检测技术等研究方法和思路,设计了产品生产的技术路线和技术指标。
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