《AlGaN/GaN HEMT氢气传感器不同温度下响应特性的研究》PDF+DOC
作者:陈金龙,阎大伟,王雪敏,符亚军,吴卫东,曹林洪
单位:中国真空学会
出版:《真空科学与技术学报》2020年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFZKKX2020010030
DOC编号:DOCZKKX2020010039
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本文制作了栅极为金属Pt的AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器。当外加偏压V_(GS)=-2.5 V时,研究了传感器在不同温度(25-150℃)下对不同氢气浓度(25-900 ppm)的响应特性。研究结果表明:当温度为25℃、氢气浓度为25 ppm时,器件响应的灵敏度为65.9%;随着氢气浓度从25增加到900 ppm后,器件灵敏度增加了14%,器件灵敏度与浓度的对数呈线性关系。当温度在25-150℃的区间内,传感器响应的灵敏度随着温度升高而降低,在室温25℃时其响应最佳。此外,通过修正Langmuir吸附等温线建立了传感器响应的理论模型,将实验数据通过理论模型进行拟合,分析了温度对传感器响应的影响。本工作研究的氢气传感器具有优异的响应特性,它可应用于室温氢气检测,具有极高的应用潜力。
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