作者：刘帅,杜晓辉,朱敏杰,刘丹,任福琴 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2020年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2020010110 DOC编号：DOCCGJS2020010119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 扩散硅压力传感器结构简单、集成度高、批量制造兼容性强，是目前MEMS领域研究最多的传感器类型，该类传感器面向航空航天等高端应用的最大技术瓶颈是封装后的传感器长期稳定性，因此相关长期稳定性提升技术已成为学术界和产业界广泛关注的共性关键技术。采用控制变量法和正交试验法，对比评价了疲劳脉动、冷热循环和振动时效三种常用长期稳定性提升技术对扩散硅压力传感器的作用效果。对比试验结果表明，三种技术均可改善扩散硅压力传感器的长期稳定性，且存在较优的环境应力参数组合，使传感器稳定性较试验前提升90%以上。本文的研究成果对各类硅压力传感器的长期稳定性提升具有较好的借鉴意义。

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