作者：石小雪,李秀琪,魏小平,李建平 单位：中国化学会;中国科学院长春应用化学研究所 出版：《》 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFXHX2020030130 DOC编号：DOCFXHX2020030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 构建了一种基于AgBiS_2/Bi_2S_3的分子印迹光电化学传感器，用于杀虫剂残杀威的检测。采用溶剂热法，在钛片基底上合成AgBiS_2/Bi_2S_3复合材料。以残杀威为模板分子，邻苯二胺为功能单体，通过电聚合在修饰AgBiS_2/Bi_2S_3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜，可对残杀威产生特异性识别。残杀威与印迹孔穴特异性结合后，阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面，导致光电流降低，据此进行残杀威的检测。残杀威浓度的对数值与光电流在1.0&#215；10~(-12)～5.0&#215；10~(-10 )mol/L范围内呈线性关系，检出限为2.3&#215；10~(-13) mol/L。将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测，加标回收率介于101.0%～103.1%之间。

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