作者：闫飞,尹明富,孙会来,赵镇宏 单位：中国第二重型机械集团公司;中国重型机械工业协会 出版：《中国重型装备》2020年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZXJK2020020170 DOC编号：DOCZXJK2020020179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 线性差动变压器式位移传感器(LVDT)中，当LVDT处于外部变化缓慢的磁场中，则会产生几百微米的位置误差，而通常的位置误差标准为几十微米。基于磁屏蔽原理提出一种新型LVDT结构，减少外界稳恒磁场的影响。采取有限元的方法在Ansys Maxwell中建立等效模型，通过Maxwell Circuit Editor添加外部激励电源进行联合仿真。研究分析表明该新型LVDT结构能有效减小外磁场对LVDT本身磁路的影响，有效降低位置误差。

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