《微型化钴基薄带中的巨磁阻抗效应》PDF+DOC
作者:樊天麒,杨真,雷冲,周勇
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2016年第08期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2016080040
DOC编号:DOCBDTQ2016080049
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采用键合、光刻和电镀等微机电系统(MEMS)微细加工技术制备了不同结构的微型化Co基薄带。微型化Co基非晶薄带采用VACUUMSHMELZE公司生产的VC6025Z型材料,其结构设计为曲折型不同匝数(1~3匝)。在1~40 MHz频率内,研究了外加磁场的方向以及传感器的匝数对巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究发现,巨磁阻抗效应均呈现负值,这与材料本身具有较大的矫顽力这一属性有关。与外加横向磁场时的GMI效应相比,当外加磁场为纵向时,获得较大的巨磁阻抗效应负值。在电流频率为10 MHz、磁场强度120 Oe(1 A·;m-1=4π×;10-3 Oe)时,巨磁阻抗变化率达到最大值-64.2%。随着匝数的增加,巨磁阻抗变化率的最大值由1匝的-31.2%增加到3匝的-64.2%。GMI效应均有相同的变化趋势,随磁场强度的增加而降低,在某一磁场下达到负的最大值。
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