作者：曲杨,王欣洋,周泉,常玉春 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2020年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2020020040 DOC编号：DOCBDTG2020020049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力，可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而，在入射光强较强时，TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象，影响观测效果。首先分析了光晕产生的机理；然后基于两种传统的抗晕结构，设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS；通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系；最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V。

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