作者：张丹,林雁飞,冯勇建 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2008年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2008020150 DOC编号：DOCBDTQ2008020159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种以MEMS技术为基础的电容式硅微真空传感器。该传感器主要采用p+硅自停止腐蚀技术和阳极键合技术制作，形成了玻璃-硅-玻璃的三明治结构。传感器的传感元是经过浓硼扩散的硼硅膜，方形硼硅膜的应用使传感器具有更高的灵敏度；感应耦合等离子体刻蚀硼硅膜引出金属电极的方法使传感器的制作更为简单。该真空微传感器具有结构简单、灵敏度高等优点，其尺寸为5mm&#215；6.4mm。该真空传感器的测量范围为5&#215；10-3～6&#215；10-2Pa，其线性度为5.9%，灵敏度比较稳定。

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