《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC
作者:张冬至,胡国清,陈昌伟
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2009年第11期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2009110010
DOC编号:DOCYBJS2009110019
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《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新
《压阻型α((6H)碳化硅压力传感器可在高达600℃的高温下工作》PDF+DOC1997年第02期 Roger Allan
,晓萍
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,刘通
《高温压力传感器的制造工艺》PDF+DOC1984年第04期 付建才
《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军
《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英
MEMS高温压力传感器随着新型半导体材料和加工工艺的不断深入研究而迅速发展,近年来这一研究方向涌现出不少研究成果。对国内外具有主导影响的多晶硅、SOI、SOS、金刚石薄膜、SiC、电容式、声表面波、光纤式等几类耐高温压力传感器的研究进展、技术关键及应用情况等做回顾论述,并针对各自的主要优缺点进行对比分析和讨论,最后展望了高温压力传感器的发展趋势。
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