作者：董林玺,焦继伟,颜海霞,孙玲玲 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2010年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2010050120 DOC编号：DOCDZXU2010050129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 增大传感器振子的质量和静态测试电容可以减小电容式MEMS惯性传感系统的噪声，而深度粒子反应刻蚀工艺由于复杂的工艺原因，当深宽比较大时，不能刻蚀出大质量和大初始电容的传感器.据此，本文研究了一种磁驱动增大检测电容的MEMS惯性传感器，通过电磁驱动器，传感器的静态测试电容可以大幅增加，在梳齿电容上刻蚀阻尼槽后，其机械噪声达到0.61μg每根号赫兹，仿真其共振频率为598Hz，静态位移灵敏度为0.7μm每重力加速度，基于硅-玻璃键合工艺，制作了栅形条电容式惯性传感器，并用电磁驱动的方式测试其品质因子达到715，从而验证了制作工艺的可行性和电磁驱动器改变传感器初始静态测试电容的可行性。

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