作者：郝建华,郑全普,胡然,丁丹 单位：北京方略信息科技有限公司 出版：《国外电子测量技术》2011年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGWCL2011040090 DOC编号：DOCGWCL2011040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《GMI磁传感器内部灵敏度与噪声特性研究》PDF+DOC2011年第02期 蒋颜玮,房建成,王三胜 《基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现》PDF+DOC2011年第08期 杨慧,王三胜,郭恺,褚向华,徐炎 《巨磁阻抗磁传感器的研究进展》PDF+DOC2008年第05期 蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功 《频率调制型巨磁阻抗弱磁传感器设计》PDF+DOC2013年第12期 杨波,卜雄洙,赵文 《基于钴基非晶带GMI效应的闭环磁场传感器设计》PDF+DOC2015年第01期 蒋峰 《GMI磁传感器敏感材料的研究进展》PDF+DOC2017年第04期 张振川,段修生 《巨磁阻抗微型磁强计技术研究》PDF+DOC2019年第02期 王江涛,潘海林,张清 《反馈式巨磁阻抗弱磁传感器的设计与实现》PDF+DOC2011年第06期 卜雄洙,赵文,于葛亮,李云龙 《巨磁阻抗传感器敏感材料的选择》PDF+DOC2009年第01期 蒋颜玮,房建成,黄学功,宋玉军 《新型巨磁阻抗传感器的特性研究》PDF+DOC2007年第03期 张清,李欣,王清江,李小平,赵振杰

    • 巨磁阻抗(GMI)效应的出现，使磁传感器在弱磁检测领域的小型化、高灵敏度、快速响应和低功耗方面成为可能，基于GMI效应的磁传感器具有广泛的应用发展前景，是近年来磁传感器领域的研究热点之一。本文从不同敏感材料类型的角度介绍了巨磁阻抗磁传感器的国内外研究现状，着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍，并指出了GMI磁传感器研究存在的问题及将来的发展趋势，为巨磁阻抗传感器的实现提供有益的参考。

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