《低侧向效应MEMS压阻式加速度传感器》PDF+DOC
作者:王鹏,杨帆,王楠,王明武,梁应选
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2020年第01期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2020010050
DOC编号:DOCYBJS2020010059
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MEMS压阻式加速度传感器是目前最常见的测振器件之一。在某些特殊环境下,加速度信号组成较为复杂,例如机床主轴振动测试系统,可能有多方向加速度信号同时施加到传感器,这就要求设计的传感器具有较低的横向效应,即较小的横向交叉干扰,因此文中研制了一种可以从理论上消除传感器自身横向交叉干扰的MEMS压阻式加速度传感器。文中采用新型的复合八梁结构作为传感器的敏感元件模型,并利用敏感结构上的应力分布规律优化传感器的信号检测电路,从理论上消除了传感器的横向交叉干扰;通过MEMS加工技术加工了传感器的芯片结构,并进行了封装和相关性能测试实验。实验结果表明,所设计的传感器具有不超过1%的横向交叉干扰,1.798 m V/g的测量灵敏度以及14 kHz的固有频率。
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